专利转让公示


 根据北京大学科技开发部专利转让/许可审批制度,现将如下项目中专利(申请)权转让、专利实施许可的相关信息进行公示,公示期十五天(2016年5月25日-6月9日),如有任何异议,请向北京大学科技开发部知识产权办公室反映。

联系方式:shrzhao@pku.edu.cnpkutianyang@pku.edu.cn

主要技术

负责人

专利名称

专利号

转让/许可

方式

拟转让/许可方&价格

彭练矛(信息学院)

1. Self-Aligned Nano Field-Effect Transistor And Its Fabrication(已授权)

2. Carbon-Nanotube Based Opto-Electric Device

3. 一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备(已授权)

4. 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法(已授权)

5. 一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法(已授权)

6. 一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法(已授权)

7. 基于石墨烯的霍尔集成电路及其制备方法(已授权)

8. 基于一维半导体纳米材料的级联太阳能电池及其制备方法(已授权)

9. 一种石墨烯霍尔元件的封装结构及封装方法(已授权)

10.一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法(已授权)

11. 一种制备石墨烯器件的方法(已授权)

12. 一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法(已授权)

13. Method for increasing density of aligned carbon nanotubes(审查中)

14. 高开关比的自对准双栅小带隙半导体晶体管及制备方法(审查中)

15. 借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法(审查中)

16. 一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法(审查中)

17. 基于量子点-碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法(审查中)

18. 基于一维半导体纳米材料的光电颜色传感器及其制备方法(审查中)

19. 一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法(审查中)

20. 碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法(审查中)

1. US 8063451 B2

 

 

 

2. US8120008B2

 

 

3.CN200710121804.7

 

 

 

4.CN200810223905.X

 

 

5.CN200910242119.9

 

 

 

6.CN200710090362.4

 

 

7.CN201110202706.2

 

 

8.CN201110038833.3

 

 

 

9.CN201210340008.3

 

 

10.CN201210575355.4

 

 

11.CN201210212244.7

 

 

12.CN201410154960.3

 

 

13.US 14/453,831

 

 

 

14.CN201410522966.1

 

 

 

15.CN201410447621.4

 

 

16.CN201410119928.1

 

 

17.CN201410320148.3

 

 

 

18.CN201510358886.1

 

 

19.CN201410440311.X

 

 

 

20.CN201510246215.6

 

独占许可

北京朗润华碳科技有限责任公司(中国单位)

 

 

200万元人民币+销售额3%